特点：

• 通过放大器和滤波器设计工艺实现行业的噪音性能
• 集成屏蔽可大幅减少因 dV/dt 信号导致电流导体至晶片的电容耦合，并可防止高端、高电压应用中的偏置漂移。
• 通过过温增益和偏置修正实现总输出误差减少
• 小型封装尺寸，安装简便
• 高可靠性的单片霍尔 IC
• 超低功率损耗：100 μΩ 内部传导电阻
• 绝缘设计可实现高电压系统中经济实惠的高端电流感测
• 3.0 至 5.5 V, 单电源操作
• 120 kHz 典型带宽
• 3 μs 输出上升时间，对应步进输入电流
• 输出电压与交流或直流电流成比例
• 出厂时度校准
• 极稳定的输出偏置电压
• 近零的磁滞